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NDPL100N10BG

NDPL100N10BG

Nur als Referenz

Teilenummer NDPL100N10BG
PNEDA Teilenummer NDPL100N10BG
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.596
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NDPL100N10BG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNDPL100N10BG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NDPL100N10BG, NDPL100N10BG Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 644,52 KB)
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NDPL100N10BG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2950pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.1W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

85V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

164nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

APT60M60JFLL

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

289nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12630pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

694W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IPA029N06NXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

84A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 84A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 75µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5125pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IPP076N15N5AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IRFBF30STRL

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

MAX3096ESE+T

MAX3096ESE+T

Maxim Integrated

IC RECEIVER 0/4 16SO

EMVY500ADA101MHA0G

EMVY500ADA101MHA0G

United Chemi-Con

CAP ALUM 100UF 20% 50V SMD

BAV70

BAV70

Panasonic Electronic Components

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23-3

CNY17F-2

CNY17F-2

Everlight Electronics Co Ltd

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-DIP

SMCJ36A-E3/57T

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB

TAJD336K035RNJ

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CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

MF-NSMF075-2

MF-NSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 6V 750MA 1206

AFT27S010NT1

AFT27S010NT1

NXP

FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W

SMAJ24A

SMAJ24A

Littelfuse

TVS DIODE 24V 38.9V DO214AC

A42MX09-PQ100

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Microsemi

IC FPGA 83 I/O 100QFP

744066101

744066101

Wurth Electronics

FIXED IND 100UH 1.2A 300 MOHM

ISL21010CFH325Z-TK

ISL21010CFH325Z-TK

Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3