NDPL100N10BG Datenblatt
NDPL100N10BG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NDPL100N10BG
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 110W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
