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MUR160-AP

MUR160-AP

Nur als Referenz

Teilenummer MUR160-AP
PNEDA Teilenummer MUR160-AP
Beschreibung DIODE GPP SUPER FAST 1A DO-41
Hersteller Micro Commercial Co
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MUR160-AP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMUR160-AP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MUR160-AP, MUR160-AP Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 359,97 KB)
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MUR160-AP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.35V @ 40V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.20pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-41
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-50°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4000V

Current - Average Rectified (Io)

1065A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.95V @ 2000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 4000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Clamp On

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AB, B-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

MUR1510G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SS23 M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

PMEG3020ER,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

170pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123W

Lieferantengerätepaket

CFP3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

RS2BHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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