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VS-SD800C40L

VS-SD800C40L

Nur als Referenz

Teilenummer VS-SD800C40L
PNEDA Teilenummer VS-SD800C40L
Beschreibung DIODE GEN PURP 4KV 1065A DO200AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.326
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VS-SD800C40L Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-SD800C40L
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-SD800C40L, VS-SD800C40L Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 193,63 KB)
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VS-SD800C40L Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)4000V
Current - Average Rectified (Io)1065A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.95V @ 2000A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 4000V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypClamp On
Paket / FallDO-200AB, B-PUK
LieferantengerätepaketDO-200AB, B-PUK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

120pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123T

Lieferantengerätepaket

SOD-123T

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

JANTXV1N6627

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

440V

Current - Average Rectified (Io)

1.75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 440V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

DFLS1100-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

36pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

POWERDI®123

Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SBR1045D1Q-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101, SBR®

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 10A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

400pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

RA 13V1

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

360mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

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