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MTM684110LBF

MTM684110LBF

Nur als Referenz

Teilenummer MTM684110LBF
PNEDA Teilenummer MTM684110LBF
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 8.838
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MTM684110LBF Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMTM684110LBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
MTM684110LBF, MTM684110LBF Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 284,25 KB)
PDFMTM684110LBF Datenblatt Cover
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MTM684110LBF Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketWMini8-F1

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XDFN

Lieferantengerätepaket

6-DFN (3.55x1.77)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FDS6984S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A, 8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1233pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

NTLUD3A260PZTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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NVMFD5C680NLT1G

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 13µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

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