NVMFD5C680NLT1G
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| Teilenummer | NVMFD5C680NLT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD5C680NLT1G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 20 - Feb 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD5C680NLT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD5C680NLT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
NVMFD5C680NLT1G, NVMFD5C680NLT1G Datenblatt
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NVMFD5C680NLT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.5A (Ta), 26A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 13µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Leistung - max | 3W (Ta), 19W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 7.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2254pF @ 25V Leistung - max 156W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1439pF @ 25V Leistung - max 53W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket LFPAK56D |
