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MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA

MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA

Nur als Referenz

Teilenummer MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA
PNEDA Teilenummer MT66R7072A10AB5ZZW-ZCA
Beschreibung IC RAM 1G PARALLEL 121VFBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT66R7072A10AB5ZZW.ZCA
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA, MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 273,3 KB)
PDFMT66R7072A10ACUXZW.ZCA Datenblatt Cover
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MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatRAM
TechnologiePCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2
Speichergröße1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall121-WFBGA
Lieferantengerätepaket121-VFBGA (11x10)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1.125Tb (144G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

267MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

272-VFBGA

Lieferantengerätepaket

272-VBGA (14x18)

S25FL127SABBHBC00

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-BGA (8x6)

FT24C16A-USG-T

Fremont Micro Devices Ltd

Hersteller

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

8 925 304 335 XF

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C1021CV33-15ZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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