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MT53D4DARN-DC TR

MT53D4DARN-DC TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT53D4DARN-DC TR
PNEDA Teilenummer MT53D4DARN-DC-TR
Beschreibung SPECIAL/CUSTOM LPDDR4
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 2.214
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Voraussichtliche Lieferung Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MT53D4DARN-DC TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT53D4DARN-DC TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT53D4DARN-DC TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie*
Speichertyp-
Speicherformat-
Technologie-
Speichergröße-
Speicherschnittstelle-
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Macronix

Serie

MXSMIO™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30µs, 750µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON (6x5)

S29GL032N90DFI030

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (9x9)

MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

48Gb (768M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

376-WFBGA

Lieferantengerätepaket

376-WFBGA (14x14)

IDT71V3557SA75BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

5962F1123501QXA

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

36-CFlatPack

Lieferantengerätepaket

36-Ceramic FlatPack

Kürzlich verkauft

0451015.MRL

0451015.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 15A 65VAC/VDC 2SMD

1N4148WT

1N4148WT

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DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

AZ1117EH-3.3TRG1

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IC REG LINEAR 3.3V 1A SOT223

AS4C256M16D3B-12BIN

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Alliance Memory, Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

89HP0604SBZBNRGI

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IDT, Integrated Device Technology

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CY14B256KA-SP25XI

CY14B256KA-SP25XI

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP

BA2904SFV-E2

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74LVX14MTCX

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IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

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IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28SSOP

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SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V