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5962F1123501QXA

5962F1123501QXA

Nur als Referenz

Teilenummer 5962F1123501QXA
PNEDA Teilenummer 5962F1123501QXA
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 36CERPAK
Hersteller Cypress Semiconductor
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5962F1123501QXA Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer5962F1123501QXA
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
5962F1123501QXA, 5962F1123501QXA Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 992,19 KB)
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5962F1123501QXA Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz83MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall36-CFlatPack
Lieferantengerätepaket36-Ceramic FlatPack

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-

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT47H64M8SH-25E:H TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

512M (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (8x10)

MT25QU01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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