MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29F128G08CEEDBJ4-12IT-D-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.628 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 9 - Nov 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 128Gb (16G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 83MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 132-VBGA (12x18) |
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Hersteller Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 85ns Zugriffszeit 85ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 4.2ns Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 208-BFQFP Lieferantengerätepaket 208-PQFP (28x28) |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 90°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 78-TFBGA Lieferantengerätepaket 78-FBGA (8x10.5) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
