JS28F640J3F75E
Nur als Referenz
Teilenummer | JS28F640J3F75E |
PNEDA Teilenummer | JS28F640J3F75E |
Beschreibung | IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP |
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.070 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
JS28F640J3F75E Ressourcen
Marke | Micron Technology Inc. |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | JS28F640J3F75E |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- JS28F640J3F75E Datasheet
- where to find JS28F640J3F75E
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. JS28F640J3F75E
- JS28F640J3F75E PDF Datasheet
- JS28F640J3F75E Stock
- JS28F640J3F75E Pinout
- Datasheet JS28F640J3F75E
- JS28F640J3F75E Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- JS28F640J3F75E Price
- JS28F640J3F75E Distributor
JS28F640J3F75E Technische Daten
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Serie | StrataFlash™ |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NOR |
Speichergröße | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 75ns |
Zugriffszeit | 75ns |
Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 56-TSOP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Maxim Integrated Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 200ns Zugriffszeit 200ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-EDIP |
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 150ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
IDT, Integrated Device Technology Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.4ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 36-SOJ |