MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
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| Teilenummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES-B-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.428 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 26 - Mär 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.5V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 132-VBGA (12x18) |
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