MSRTA600120(A)
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| Teilenummer | MSRTA600120(A) |
| PNEDA Teilenummer | MSRTA600120-A |
| Beschreibung | DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.320 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MSRTA600120(A) Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSRTA600120(A) |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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MSRTA600120(A) Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 600A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 600A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25µA @ 600V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD Module |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 300A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 20V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 20V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 150mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 80V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70 |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 3.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 760mV @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 60V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 790mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 120V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket I2PAK |
