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MSM5412222B-25TK-MTL

MSM5412222B-25TK-MTL

Nur als Referenz

Teilenummer MSM5412222B-25TK-MTL
PNEDA Teilenummer MSM5412222B-25TK-MTL
Beschreibung IC FRAM 3M PARALLEL 44TSOP
Hersteller Rohm Semiconductor
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MSM5412222B-25TK-MTL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSM5412222B-25TK-MTL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MSM5412222B-25TK-MTL, MSM5412222B-25TK-MTL Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 81,2 KB)
PDFMSM5412222B-25TK-MTL Datenblatt Cover
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MSM5412222B-25TK-MTL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFRAM
TechnologieFRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße3Mb (256K x 12)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit23ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

32Mb (2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA (6x8)

CG7816AA

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS61VF51236A-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-TFBGA (13x15)

CY7C0852AV-133AXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

176-LQFP

Lieferantengerätepaket

176-TQFP (24x24)

RD48F4400P0VBQEJ

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Axcell™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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