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MRFG35010AR1

MRFG35010AR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRFG35010AR1
PNEDA Teilenummer MRFG35010AR1
Beschreibung FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.186
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRFG35010AR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFG35010AR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFG35010AR1, MRFG35010AR1 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 484,97 KB)
PDFMRFG35010AR1 Datenblatt Cover
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MRFG35010AR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortyppHEMT FET
Frequenz3.55GHz
Gewinn10dB
Spannungstest12V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest140mA
Leistung - Leistung1W
Spannung - Nennspannung15V
Paket / FallNI-360HF
LieferantengerätepaketNI-360HF

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

922.5MHz ~ 957.5MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

67W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

SD2931-11W

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

20A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

M244

Lieferantengerätepaket

M244

ARF443

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

PTF210451F V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-31265-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

850mA

Leistung - Leistung

19W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Kürzlich verkauft

MAX3488ESA+

MAX3488ESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

2N4416A

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IC MCU 8BIT 1.75KB FLASH 8SOIC

JAN2N3501

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Microsemi

TRANS NPN 150V 0.3A

SF-1206F200-2

SF-1206F200-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

TPSC107M016R0200

TPSC107M016R0200

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312

LTST-C191GKT

LTST-C191GKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

FM24W256-GTR

FM24W256-GTR

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IRG7PH42UDPBF

IRG7PH42UDPBF

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REF02CSZ

REF02CSZ

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NL453232T-3R3J-PF

NL453232T-3R3J-PF

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