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MRFG35003N6AT1

MRFG35003N6AT1

Nur als Referenz

Teilenummer MRFG35003N6AT1
PNEDA Teilenummer MRFG35003N6AT1
Beschreibung FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.208
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRFG35003N6AT1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFG35003N6AT1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFG35003N6AT1, MRFG35003N6AT1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 255,19 KB)
PDFMRFG35003N6AT1 Datenblatt Cover
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MRFG35003N6AT1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortyppHEMT FET
Frequenz3.55GHz
Gewinn10dB
Spannungstest6V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest180mA
Leistung - Leistung450mW
Spannung - Nennspannung8V
Paket / FallPLD-1.5
LieferantengerätepaketPLD-1.5

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-360S

Lieferantengerätepaket

NI-360S

IXZR18N50

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Hersteller

IXYS-RF

Serie

Z-MOS™

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

65MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

19A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

500V

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

BLM8D1822-25BZ

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

28V

Paket / Fall

20-QFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

20-PQFN (8x8)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.8A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-6

Lieferantengerätepaket

NI-780S-6

IXZR18N50B-00

IXYS-RF

Hersteller

IXYS-RF

Serie

Z-MOS™

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

65MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

19A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

500V

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

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