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MRFE6VP6600GNR3

MRFE6VP6600GNR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRFE6VP6600GNR3
PNEDA Teilenummer MRFE6VP6600GNR3
Beschreibung TRANS RF LDMOS 600W 50V
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRFE6VP6600GNR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFE6VP6600GNR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFE6VP6600GNR3, MRFE6VP6600GNR3 Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 1.218,73 KB)
PDFMRFE6VP6600GNR3 Datenblatt Cover
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MRFE6VP6600GNR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz230MHz
Gewinn24.7dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung600W
Spannung - Nennspannung133V
Paket / FallOM-780G-4L
LieferantengerätepaketOM-780G-4L

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.16GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.05A

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

17.8dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

14W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270-2

Lieferantengerätepaket

TO-270-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

80mA

Leistung - Leistung

4.5W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

BLM9D2325-20ABZ

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.3GHz ~ 2.5GHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

28V

Paket / Fall

20-QFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

20-PQFN (8x8)

ATF-55143-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

2.7V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14.4dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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