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BLL8H0514-25U

BLL8H0514-25U

Nur als Referenz

Teilenummer BLL8H0514-25U
PNEDA Teilenummer BLL8H0514-25U
Beschreibung RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $2.596,0421
50 ---------- $2.474,3526
100 ---------- $2.352,6632
200 ---------- $2.230,9737
400 ---------- $2.129,5658
500 ---------- $2.028,1579
Auf Lager 3.217
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BLL8H0514-25U Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLL8H0514-25U
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLL8H0514-25U, BLL8H0514-25U Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 913,64 KB)
PDFBLL8H0514-25U Datenblatt Cover
BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 2 BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 3 BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 4 BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 5 BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 6 BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 7 BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 8 BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 9 BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 10 BLL8H0514-25U Datenblatt Seite 11

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BLL8H0514-25U Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.2GHz
Gewinn21dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest50mA
Leistung - Leistung25W
Spannung - Nennspannung100V
Paket / FallSOT467C
LieferantengerätepaketSOT467C

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

16.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

PTFA081501F V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

900MHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

950mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-31248-2

LET9045

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

9A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

59W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

3SK291(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

22.5dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

2.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12.5V

Paket / Fall

SC-61AA

Lieferantengerätepaket

SMQ

VRF141G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

SOT-540A

Lieferantengerätepaket

-

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