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MRFE6S8046GNR1

MRFE6S8046GNR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRFE6S8046GNR1
PNEDA Teilenummer MRFE6S8046GNR1
Beschreibung FET RF 66V 894MHZ TO-270-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.430
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRFE6S8046GNR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFE6S8046GNR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFE6S8046GNR1, MRFE6S8046GNR1 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 500,74 KB)
PDFMRFE6S8046NR1 Datenblatt Cover
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MRFE6S8046GNR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz894MHz
Gewinn19.8dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest300mA
Leistung - Leistung35.5W
Spannung - Nennspannung66V
Paket / FallTO-270BB
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4 Gull

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

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Gewinn

27.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

42A

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

PTFB211501FV1R250XTMA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

BLP05M7200Y

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

440MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2mA

Leistung - Leistung

210W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

4-HSOPF, SOT-1138

Lieferantengerätepaket

4-HSOP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

770W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

ARF461AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

65MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

25µA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

1000V

Paket / Fall

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