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BF1202R,215

BF1202R,215

Nur als Referenz

Teilenummer BF1202R,215
PNEDA Teilenummer BF1202R-215
Beschreibung MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.212
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BF1202R Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF1202R,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BF1202R, BF1202R Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 177,61 KB)
PDFBF1202WR Datenblatt Cover
BF1202WR Datenblatt Seite 2 BF1202WR Datenblatt Seite 3 BF1202WR Datenblatt Seite 4 BF1202WR Datenblatt Seite 5 BF1202WR Datenblatt Seite 6 BF1202WR Datenblatt Seite 7 BF1202WR Datenblatt Seite 8 BF1202WR Datenblatt Seite 9 BF1202WR Datenblatt Seite 10 BF1202WR Datenblatt Seite 11

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BF1202R Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz400MHz
Gewinn30.5dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl0.9dB
Stromtest12mA
Leistung - Leistung200mW
Spannung - Nennspannung10V
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143R

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

65A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT539A

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

860MHz

Gewinn

22.4dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

5W

Spannung - Nennspannung

104V

Paket / Fall

12-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-HVSON (6x4)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.3GHz

Gewinn

22.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

ATF-36163-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

4GHz

Gewinn

15.8dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

5dBm

Spannung - Nennspannung

3V

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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