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MRF8S23120HR3

MRF8S23120HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S23120HR3
PNEDA Teilenummer MRF8S23120HR3
Beschreibung FET RF 65V 2.3GHZ NI-780
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8S23120HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S23120HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S23120HR3, MRF8S23120HR3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 494,7 KB)
PDFMRF8S23120HSR5 Datenblatt Cover
MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 2 MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 3 MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 4 MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 5 MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 6 MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 7 MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 8 MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 9 MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 10 MRF8S23120HSR5 Datenblatt Seite 11

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MRF8S23120HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.3GHz
Gewinn16dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest800mA
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

970mA

Leistung - Leistung

34W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

230MHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

130V

Paket / Fall

NI-1230-4H

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-360

Lieferantengerätepaket

NI-360

CGHV14800F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

1.4GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

24A

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

900W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440117

Lieferantengerätepaket

440117

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Kürzlich verkauft

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LED GREEN CLEAR CHIP SMD

MIC2544A-1YM

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DM74LS05N

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BC817-16

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ACPL-332J-500E

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OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO

CY37064P44-125JXC

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ZUS252405

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DC DC CONVERTER 5V

APT2012EC

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IRFR5505TRPBF

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