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MRF8S21200HR6

MRF8S21200HR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S21200HR6
PNEDA Teilenummer MRF8S21200HR6
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.038
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8S21200HR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S21200HR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S21200HR6, MRF8S21200HR6 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 630,97 KB)
PDFMRF8S21200HSR6 Datenblatt Cover
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MRF8S21200HR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz2.14GHz
Gewinn18.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung48W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

857MHz ~ 863MHz

Gewinn

20.4dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

270W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-860C3

Lieferantengerätepaket

NI-860C3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-400

Lieferantengerätepaket

NI-400

MMBF5485_NB50012

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

400MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

10mA

Rauschzahl

4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BF 5030 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

230MHz

Gewinn

26.1dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

TO-270-4

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4

Kürzlich verkauft

NPT1012B

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M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

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STR-W6756

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IC POWER QUASI RES SW TO-220F-6

PIC18F25K22-I/SO

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC

ADG506AKR

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IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC

ADA4940-2ACPZ-R7

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IC OPAMP DIFF 2 CIRCUIT 24LFCSP

3-1462039-1

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IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20SOIC