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MRF8P23080HSR5

MRF8P23080HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8P23080HSR5
PNEDA Teilenummer MRF8P23080HSR5
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.726
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8P23080HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8P23080HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MRF8P23080HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz2.3GHz
Gewinn14.6dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest280mA
Leistung - Leistung16W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S-4
LieferantengerätepaketNI-780S-4

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Hersteller

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Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

26dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

200V

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Lieferantengerätepaket

STAC244B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

31.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

59mA

Leistung - Leistung

3.2W

Spannung - Nennspannung

65V

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

28A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

MAGX-002731-030L00

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.7GHz ~ 3.1GHz

Gewinn

11.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

1.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

950mA

Leistung - Leistung

22W

Spannung - Nennspannung

68V

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