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MRF8S21120HR3

MRF8S21120HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S21120HR3
PNEDA Teilenummer MRF8S21120HR3
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI780H
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8S21120HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S21120HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S21120HR3, MRF8S21120HR3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 555,96 KB)
PDFMRF8S21120HSR3 Datenblatt Cover
MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 2 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 3 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 4 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 5 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 6 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 7 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 8 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 9 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 10 MRF8S21120HSR3 Datenblatt Seite 11

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MRF8S21120HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn17.6dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest850mA
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

15.3dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

810mA

Leistung - Leistung

580W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1258-7

Lieferantengerätepaket

SOT-1258-7

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

32.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.08A

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

PD85025TR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

17.3dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

24W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Kürzlich verkauft

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

Abracon

CRYSTAL 12.0000MHZ 18PF SMD

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

SMBJ33CA-13-F

SMBJ33CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 33V 53.3V SMB

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

T491B106K025AT

T491B106K025AT

KEMET

CAP TANT 10UF 10% 25V 1411

AT28C16-15TC

AT28C16-15TC

Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 28TSOP

HSMH-C170

HSMH-C170

Broadcom

LED RED DIFFUSED CHIP SMD

74279226101

74279226101

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 100 OHM 1812 1LN

LTST-C19HE1WT

LTST-C19HE1WT

Lite-On Inc.

LED RGB DIFFUSED CHIP SMD

766161102GPTR13

766161102GPTR13

CTS Resistor Products

RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SOIC

XCZU9EG-1FFVB1156I

XCZU9EG-1FFVB1156I

Xilinx

IC SOC CORTEX-A53 1156FCBGA

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW