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MD7P19130HSR5

MD7P19130HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MD7P19130HSR5
PNEDA Teilenummer MD7P19130HSR5
Beschreibung FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.542
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MD7P19130HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMD7P19130HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MD7P19130HSR5, MD7P19130HSR5 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 808,63 KB)
PDFMD7P19130HSR5 Datenblatt Cover
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MD7P19130HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.99GHz
Gewinn20dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.25A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S-4
LieferantengerätepaketNI-780S-4

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Transistortyp

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-

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-

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-

Stromtest

-

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-

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

28A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

2GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

5mA

Leistung - Leistung

12dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

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Serie

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HEMT

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

H-37265J-2

Lieferantengerätepaket

H-37265J-2

BLF246B,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual) Common Source

Frequenz

175MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

8A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-161A

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