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MRF8S19260HSR5

MRF8S19260HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S19260HSR5
PNEDA Teilenummer MRF8S19260HSR5
Beschreibung FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.542
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF8S19260HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S19260HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MRF8S19260HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.99GHz
Gewinn18.2dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.6A
Leistung - Leistung74W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1110B
LieferantengerätepaketNI1230S-8

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.6GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.73A

Leistung - Leistung

65W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1251-3

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8-DFM

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Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

28dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT-1121B

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LDMOST

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