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MRF7S21150HR5

MRF7S21150HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S21150HR5
PNEDA Teilenummer MRF7S21150HR5
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.178
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 30 - Feb 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF7S21150HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S21150HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S21150HR5, MRF7S21150HR5 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 485,44 KB)
PDFMRF7S21150HSR5 Datenblatt Cover
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MRF7S21150HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.35A
Leistung - Leistung44W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

860MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

16.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

22W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual) Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

SOT-262A1

Lieferantengerätepaket

CDFM4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

18.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

48W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

PTFA081501E V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

900MHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

950mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-30248-2

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NAND128W3A2BN6E

NAND128W3A2BN6E

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