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MRF7S19100NR1

MRF7S19100NR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S19100NR1
PNEDA Teilenummer MRF7S19100NR1
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ TO270-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 26 - Jan 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF7S19100NR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S19100NR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S19100NR1, MRF7S19100NR1 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 656,92 KB)
PDFMRF7S19100NR1 Datenblatt Cover
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MRF7S19100NR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1A
Leistung - Leistung29W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallTO-270AB
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

21.4dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

0505 (1412 Metric)

Lieferantengerätepaket

MiniPak 1412

PXAC243502FV-V1-R250

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.4GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

850mA

Leistung - Leistung

68W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37275-4

Lieferantengerätepaket

H-37275-4

BLP8G27-5Z

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

55mA

Leistung - Leistung

750mW

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

16-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-HVSON (6x4)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

PTFA081501F V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

900MHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

950mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

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