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MRF7S19080HR3

MRF7S19080HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S19080HR3
PNEDA Teilenummer MRF7S19080HR3
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.716
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF7S19080HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S19080HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S19080HR3, MRF7S19080HR3 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.234,06 KB)
PDFMRF7S19080HSR5 Datenblatt Cover
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MRF7S19080HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.99GHz
Gewinn18dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest750mA
Leistung - Leistung24W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

746MHz ~ 960MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

351.5W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.62GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

7W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.6GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

160mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270BA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2 GULL

CGHV27100F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

6A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

50V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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