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MRF6V3090NR1

MRF6V3090NR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6V3090NR1
PNEDA Teilenummer MRF6V3090NR1
Beschreibung FET RF 110V 860MHZ TO270-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.796
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6V3090NR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6V3090NR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6V3090NR1, MRF6V3090NR1 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 717,52 KB)
PDFMRF6V3090NR5 Datenblatt Cover
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MRF6V3090NR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz860MHz
Gewinn22dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest350mA
Leistung - Leistung18W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallTO-270AB
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4

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10dB

Spannungstest

40V

Nennstrom (Ampere)

6A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

100V

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440210

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

400MHz

Gewinn

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Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

M229

Lieferantengerätepaket

M229

Hersteller

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Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

38W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

520MHz

Gewinn

18.3dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PLD-1.5W

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