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MRF5P20180HR6

MRF5P20180HR6

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5P20180HR6
PNEDA Teilenummer MRF5P20180HR6
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.340
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF5P20180HR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5P20180HR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5P20180HR6, MRF5P20180HR6 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 755,46 KB)
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MRF5P20180HR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn14dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.6A
Leistung - Leistung38W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

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Ampleon USA Inc.

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-

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Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

19.22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

18.1A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.7GHz ~ 3.1GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

28V

Paket / Fall

SOT-975C

Lieferantengerätepaket

CDFM2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

30dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.9dB

Stromtest

12mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

6V

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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