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BF1212WR,115

BF1212WR,115

Nur als Referenz

Teilenummer BF1212WR,115
PNEDA Teilenummer BF1212WR-115
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
Hersteller NXP
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Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BF1212WR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF1212WR,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BF1212WR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz400MHz
Gewinn30dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl0.9dB
Stromtest12mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung6V
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

2.7V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14.6dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

0505 (1412 Metric)

Lieferantengerätepaket

MiniPak 1412

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-270BA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2 GULL

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

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