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MRF6V2010NBR1

MRF6V2010NBR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6V2010NBR1
PNEDA Teilenummer MRF6V2010NBR1
Beschreibung FET RF 110V 220MHZ TO272-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.202
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF6V2010NBR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6V2010NBR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6V2010NBR1, MRF6V2010NBR1 Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 1.456,06 KB)
PDFMRF6V2010GNR5 Datenblatt Cover
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MRF6V2010NBR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz220MHz
Gewinn23.9dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest30mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallTO-272BC
LieferantengerätepaketTO-272-2

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-

Transistortyp

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Frequenz

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Nennstrom (Ampere)

-

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-

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55W

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

15.8dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

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H-37260-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.66GHz

Gewinn

14.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.8A

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

10mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

3V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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