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MRF6V10010NR4

MRF6V10010NR4

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6V10010NR4
PNEDA Teilenummer MRF6V10010NR4
Beschreibung FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.794
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MRF6V10010NR4 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6V10010NR4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6V10010NR4, MRF6V10010NR4 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 678,42 KB)
PDFMRF6V10010NR4 Datenblatt Cover
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MRF6V10010NR4 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.09GHz
Gewinn25dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest10mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung100V
Paket / FallPLD-1.5
LieferantengerätepaketPLD-1.5

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Gewinn

16.5dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

65V

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Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37248-2

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

960MHz ~ 1.22GHz

Gewinn

19.6dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

112V

Paket / Fall

NI-1230-4S

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

CLF1G0060S-10U

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

150V

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SOT-1227B

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Serie

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Transistortyp

HEMT

Frequenz

4GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

320W

Spannung - Nennspannung

150V

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