MRF6V10010NR4 Datenblatt
MRF6V10010NR4 Datenblatt
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NXP
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MRF6V10010NR4
NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.09GHz Gewinn 25dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 10mA Leistung - Leistung 10W Spannung - Nennspannung 100V Paket / Fall PLD-1.5 Lieferantengerätepaket PLD-1.5 |