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MRF6S9045NBR1

MRF6S9045NBR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S9045NBR1
PNEDA Teilenummer MRF6S9045NBR1
Beschreibung FET RF 68V 880MHZ TO-272-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF6S9045NBR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S9045NBR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S9045NBR1, MRF6S9045NBR1 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 848,05 KB)
PDFMRF6S9045NR1 Datenblatt Cover
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MRF6S9045NBR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn22.7dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest350mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-272BC
LieferantengerätepaketTO-272-2

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.5GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230-4LS2L

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4LS2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

960MHz ~ 1.22GHz

Gewinn

19.6dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

112V

Paket / Fall

NI-1230-4S

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

CGH35060F2

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.1GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

47.6dBm

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440193

Lieferantengerätepaket

440193

PTVA042502FC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

2SK209-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

1kHz

Gewinn

-

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

1dB

Stromtest

500µA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

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3403.0166.11

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