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MRF8P20160HR3

MRF8P20160HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8P20160HR3
PNEDA Teilenummer MRF8P20160HR3
Beschreibung FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.262
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF8P20160HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8P20160HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MRF8P20160HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.92GHz
Gewinn16.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest550mA
Leistung - Leistung37W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI780-4
LieferantengerätepaketNI-780-4

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

16dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

500mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

27dBm

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Frequenz

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Gewinn

22dB

Spannungstest

9V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12V

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

2.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

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-

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Frequenz

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Gewinn

17dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

2A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

5W

Spannung - Nennspannung

40V

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Frequenz

900MHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

300mA

Rauschzahl

0.8dB

Stromtest

135mA

Leistung - Leistung

21.7dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

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