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MRF6S27050HR3

MRF6S27050HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S27050HR3
PNEDA Teilenummer MRF6S27050HR3
Beschreibung FET RF 68V 2.62GHZ NI-780
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.868
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF6S27050HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S27050HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S27050HR3, MRF6S27050HR3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 508,88 KB)
PDFMRF6S27050HSR5 Datenblatt Cover
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MRF6S27050HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.62GHz
Gewinn16dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung7W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

30MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

42A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

170V

Paket / Fall

M177

Lieferantengerätepaket

M177

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

M250

Lieferantengerätepaket

M250

BLF888AS,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

860MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

SOT539B

Lieferantengerätepaket

SOT539B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

9V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

14V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

PTFA210601EV4R250FTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-36265-2

Lieferantengerätepaket

H-36265-2

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