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MRF6S21190HR3

MRF6S21190HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S21190HR3
PNEDA Teilenummer MRF6S21190HR3
Beschreibung FET RF 68V 2.17GHZ NI880
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.510
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF6S21190HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S21190HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S21190HR3, MRF6S21190HR3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 458,15 KB)
PDFMRF6S21190HSR5 Datenblatt Cover
MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 2 MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 3 MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 4 MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 5 MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 6 MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 7 MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 8 MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 9 MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 10 MRF6S21190HSR5 Datenblatt Seite 11

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MRF6S21190HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn16dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.6A
Leistung - Leistung54W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallNI-880
LieferantengerätepaketNI-880

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

2.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

SOT467C

Lieferantengerätepaket

SOT467C

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

28dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT-1121B

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.66GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

170mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1130B

Lieferantengerätepaket

CDFM4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.2A

Leistung - Leistung

52W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-1230

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