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MRF6S21100MR1

MRF6S21100MR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S21100MR1
PNEDA Teilenummer MRF6S21100MR1
Beschreibung FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.070
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF6S21100MR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S21100MR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S21100MR1, MRF6S21100MR1 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.527,99 KB)
PDFMRF6S21100NR1 Datenblatt Cover
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MRF6S21100MR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.16GHz
Gewinn14.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.05A
Leistung - Leistung23W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-270-4
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

140W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

20GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

0.7dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

S03

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

38W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

922.5MHz ~ 957.5MHz

Gewinn

22.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

13A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-608A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

11.5dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

55mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

PLD-1.5

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