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MRF6S21100HSR3

MRF6S21100HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S21100HSR3
PNEDA Teilenummer MRF6S21100HSR3
Beschreibung FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.300
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF6S21100HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S21100HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S21100HSR3, MRF6S21100HSR3 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 724,82 KB)
PDFMRF6S21100HSR5 Datenblatt Cover
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MRF6S21100HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn15.9dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest950mA
Leistung - Leistung23W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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0.8dB

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Leistung - Leistung

21.7dBm

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Frequenz

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Gewinn

14.8dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

1.4dB

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

30dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

15.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

580W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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