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MRF5S21130HR3

MRF5S21130HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S21130HR3
PNEDA Teilenummer MRF5S21130HR3
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.010
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF5S21130HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S21130HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S21130HR3, MRF5S21130HR3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 699,08 KB)
PDFMRF5S21130HSR5 Datenblatt Cover
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MRF5S21130HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.2A
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-880
LieferantengerätepaketNI-880

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

220MHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

110V

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

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NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

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Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0Hz ~ 6GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

440166

Lieferantengerätepaket

440166

CGH60120D-GP4

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

6GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

84V

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Die

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