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BLF6G22LS-180PN:11

BLF6G22LS-180PN:11

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G22LS-180PN:11
PNEDA Teilenummer BLF6G22LS-180PN-11_E3
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
Hersteller Ampleon
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BLF6G22LS-180PN:11 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G22LS-180PN:11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G22LS-180PN:11, BLF6G22LS-180PN:11 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.110,78 KB)
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BLF6G22LS-180PN:11 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.6A
Leistung - Leistung50W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Hersteller

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Serie

-

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4A

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-

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

1.47GHz ~ 1.51GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

64A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.41A

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1110B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

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