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MRF6S21100HR5

MRF6S21100HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S21100HR5
PNEDA Teilenummer MRF6S21100HR5
Beschreibung FET RF 68V 2.17GHZ NI-780
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.482
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6S21100HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S21100HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S21100HR5, MRF6S21100HR5 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 724,82 KB)
PDFMRF6S21100HSR5 Datenblatt Cover
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MRF6S21100HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn15.9dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest950mA
Leistung - Leistung23W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

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Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

22.8dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

2.5W

Spannung - Nennspannung

104V

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.1GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

115W

Spannung - Nennspannung

28V

Paket / Fall

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