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MRF5S21100HSR3

MRF5S21100HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S21100HSR3
PNEDA Teilenummer MRF5S21100HSR3
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.732
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF5S21100HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S21100HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S21100HSR3, MRF5S21100HSR3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 677,23 KB)
PDFMRF5S21100HSR5 Datenblatt Cover
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MRF5S21100HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.16GHz ~ 2.17GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.05A
Leistung - Leistung23W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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M250

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

66V

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

31.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

75mA

Leistung - Leistung

1.6W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

250mA

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

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Frequenz

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Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

20A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

170V

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