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MRF5S19150HR3

MRF5S19150HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S19150HR3
PNEDA Teilenummer MRF5S19150HR3
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ NI-880
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.970
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 29 - Dez 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF5S19150HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S19150HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S19150HR3, MRF5S19150HR3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 469,15 KB)
PDFMRF5S19150HSR5 Datenblatt Cover
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MRF5S19150HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.99GHz
Gewinn14dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung32W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-880
LieferantengerätepaketNI-880

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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1.88GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

NI-360HF

Lieferantengerätepaket

NI-360HF

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

22.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272BC

Lieferantengerätepaket

TO-272-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

10mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

3V

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

520MHz

Gewinn

10.8dB

Spannungstest

7.2V

Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

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