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MRF5S19100HSR5

MRF5S19100HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5S19100HSR5
PNEDA Teilenummer MRF5S19100HSR5
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.744
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF5S19100HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5S19100HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF5S19100HSR5, MRF5S19100HSR5 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 870,24 KB)
PDFMRF5S19100HSR5 Datenblatt Cover
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MRF5S19100HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn13.9dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1A
Leistung - Leistung22W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

13.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

180W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

SD3933

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

30MHz

Gewinn

29dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

20A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

250V

Paket / Fall

M177

Lieferantengerätepaket

M177

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.39GHz

Gewinn

15.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

PTFA041501GL V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

470MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

PG-63248-2

ATF-331M4-BLK

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

305mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

19dBm

Spannung - Nennspannung

5.5V

Paket / Fall

0505 (1412 Metric)

Lieferantengerätepaket

MiniPak 1412

Kürzlich verkauft

MMSZ4683T1G

MMSZ4683T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3V 500MW SOD123

SMAJ5.0CA-13-F

SMAJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMA

BAT46WJ,115

BAT46WJ,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323

PC28F00BM29EWHA

PC28F00BM29EWHA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

DECB33J681KC4B

DECB33J681KC4B

Murata

CAP CER 680PF 6.3KV RADIAL

RS1MB-13-F

RS1MB-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

SMAJ36CA

SMAJ36CA

Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AC

ADM2481BRWZ

ADM2481BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC

MIC2025-1YM

MIC2025-1YM

Microchip Technology

IC SW DISTRIBUTION 1CHAN 8SOIC

SUD50P06-15L-E3

SUD50P06-15L-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

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ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123

FAN7392N

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ON Semiconductor

IC GATE DVR MONO HI/LO 14DIP