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MRF21010LR5

MRF21010LR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF21010LR5
PNEDA Teilenummer MRF21010LR5
Beschreibung FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.722
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MRF21010LR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF21010LR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF21010LR5, MRF21010LR5 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 434,33 KB)
PDFMRF21010LSR1 Datenblatt Cover
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MRF21010LR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-360
LieferantengerätepaketNI-360

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

3.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual) Common Source

Frequenz

128MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

150V

Nennstrom (Ampere)

10A

Rauschzahl

-

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

900W

Spannung - Nennspannung

500V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

65mA

Leistung - Leistung

1.5W

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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