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MRFG35002N6R5

MRFG35002N6R5

Nur als Referenz

Teilenummer MRFG35002N6R5
PNEDA Teilenummer MRFG35002N6R5
Beschreibung FET RF 8V 3.55GHZ
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRFG35002N6R5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFG35002N6R5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFG35002N6R5, MRFG35002N6R5 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 232,2 KB)
PDFMRFG35002N6T1 Datenblatt Cover
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MRFG35002N6R5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortyppHEMT FET
Frequenz3.55GHz
Gewinn10dB
Spannungstest6V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest65mA
Leistung - Leistung1.5W
Spannung - Nennspannung8V
Paket / FallPLD-1.5
LieferantengerätepaketPLD-1.5

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Serie

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Gewinn

19.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

35.5W

Spannung - Nennspannung

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Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

220MHz

Gewinn

23.9dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

6A

Rauschzahl

2dB

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-123A

Lieferantengerätepaket

CRFM4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

280W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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