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MRF19085LSR3

MRF19085LSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF19085LSR3
PNEDA Teilenummer MRF19085LSR3
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.196
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF19085LSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF19085LSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF19085LSR3, MRF19085LSR3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 446,11 KB)
PDFMRF19085LR3 Datenblatt Cover
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MRF19085LSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn13dB
Spannungstest26V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest850mA
Leistung - Leistung18W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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-

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SMD

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0Hz ~ 4GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

9.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

37dBm

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOP2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.12GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

610mA

Leistung - Leistung

14W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

12GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

88mA

Rauschzahl

0.3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

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